[1] Ye H. Y., Lai H. W., Wu S. J., Cui X. H., Kan Q. B., Chem. J. Chinese Universities, 2007, 28(2), 312
[2] Zhang X. R., Gu X. W., Sun J., Xu Z., Chem. J. Chinese Universities, 2006, 27(8), 1555
[3] Xing Y. J., Xi Z. H., Xue Z. Q., Zhang X. D., Song J. H., Wang R. M., Xu J., Song Y., Zhang S. L., Yu D. P., Appl. Phys. Lett., 2003, 83, 1689
[4] Lee J. S., Park K., Kang M., Park I. W., Kim S. W., Cho W. K., Han H. S., Kim S., J. Crystal Growth, 2003, 254, 423
[5] Xu X. C., Sun X. W., Chen B. J., Shun P., Li S., Hu X., J. Appl. Phys., 2004, 95, 661
[6] Pan Z. W., Dai Z. R., Wang Z. L., Science, 2001, 291, 1947
[7] Kong X. Y., Wang Z. L., Nano Lett., 2003, 3, 1625
[8] Kong X. Y., Ding Y., Yang R. S., Wang Z. L., Science, 2004, 303, 1348
[9] Yang P. D., Yan H. Q., Mao S., Russo R., Johnson J., Saykally R., Morris N., Pham J., He R. R., Choi H. J., Adv. Funct. Mater., 2002, 12, 323
[10] Bai Z. G., Yu D. P., Zhang H. Z., Ding Y., Gai X. Z., Hang Q. L., Xiong G. C., Feng S. Q., Chem. Phys. Lett., 1999, 303, 311
[11] Park W. I., Kim D. H., Jung S. W., Yi G. C., Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 4232
[12] Vayssieres L., Keis K., Lindquist S. E., Hagfeldt A., J. Phys. Chem. B, 2001, 105, 3350
[13] Zhang M. J., Zhang L. D., Li G. H., Shen W. Z., Chem. Phys. Lett., 2002, 363, 123
[14] Bethke S., Pan H., Wessels B. W., Appl. Phys. Lett., 1988, 52, 138
[15] Yang L. W., Wu X. L., Xiong Y., Yang Y. M., Huang G. S., Chu P. K., Siu G. G., Journal of Crystal Growth, 2005, 283, 332
[16] Yeadon M., Ghaly M., Yang J. C., Averback R. S., Gibson J. M., Appl. Phys. Lett., 1998, 73, 3208
[17] Kong Y. C., Yu D. P., Zhang B., Fang W., Feng S. Q., Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 407
[18] Vanheusden K., Warren W. L., Seager C. H., Tallant D. K., Voigt J. A., Gnade B. E., J. Appl. Phys., 1996, 79, 7983 |